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- Power SiC Manufacturing 2024（附下载）功率硅碳化物 (SiC)制造业的现状与未来趋势
关于SiC，这可能是今年最惊艳的报告 在《Power SiC Manufacturing 2024》报告中，Yole Intelligence深入分析了功率硅碳化物 (SiC)制造业的现状与未来趋势。 报告全面覆盖了从SiC粉末供应商、晶体生长技术、晶圆制造工具，到最终的SiC器件市场应用等多个环节。
- SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
例外SiC的产能也非常有限，国外也是刚开始大规模进行6英寸SiC晶圆的投产，未来的主要应用还是IGBT功率器件。 IGBT功率器件主要测试参数
- 测试SiC开关特性，波形振荡很严重，该怎么办？ - 知乎
SiC MOSFET与Si开关器件的一个重要区别是它们的栅极耐压能力不同，Si开关器件栅极耐压能力一般都能够达到±30V，而SiC MOSFET栅极正压耐压能力一般在+20V至+25V，负压耐压能力一般仅有-3V至-10V。
- 为什么要用4H-SiC？ - 知乎
SiC单晶差不多有200种同分异构体，其中最常见的有3C, 4H, 6H结构，每种结构都有自己适合的应用领域，不存在哪种更受关注。 题主想说的是在大功率器件领域4H SiC比较受关注吧。 这是因为，实际生产中，3C-SiC并不稳定，在高于1900-2000℃高温下会转变为六方SiC多型
- 关于半导体碳化硅（Sic）外延工艺技术的详解； - 知乎
一、碳化硅（Sic）外延的基本介绍 1、基本概念 在半导体制造领域，“外延” 指的是在单晶衬底上生长一层与衬底具有相同晶体结构的单晶薄膜的过程。 碳化硅外延就是以碳化硅（SiC）单晶片为衬底，通过特定的工艺方法，在其表面生长出一层高质量的碳化硅
- SiC MOS 芯片边缘终端扩展耐压？ - 知乎
SiC MOS 芯片边缘终端扩展耐压？ 请问大家，针对结终端扩展，如下下划线句子如何理解？ [图片] [图片] 显示全部 关注者 5
- 请问英文中的（sic）该怎么翻译（或者用英语解释出来）? - 知乎
The adverb sic, usually enclosed in brackets, is a word editors use in the reproduction of someone else's speech or writing to indicate that an unexpected form exactly reproduces the original and is not a copier's mistake
- 碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有 . . . - 知乎
最后SiC还有一个重要的优势，就是非常适合高压的应用。 我们看到一些主流车厂已经把车的电池电压提高到了800V，以后的高压直流充电桩里面也是用的高压，在这些高压的应用里，以后SiC，特别是高压的1200V的碳化硅比硅会更有优势。
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