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- SiC 和 IGBT 分别有什么特点？ - 知乎
sic mosfet主要应用于600 v ~ 3 3 kv范围，用于替代si基igbt， 600v以下，虽然可以制备，但相比si器件没有明显优势。 较之si mosfet，为什么sic mosfet适用于更高级别的电压范围？ 关键，是两种材料的临界击穿场强差异。 sic材料的临界击穿场强，大概是si的10倍，
- 碳化硅（SiC)的优势是什么，能给电动汽车带有 . . . - 知乎
先说说碳化硅(SiC)的优势。 首先是功率密度的提高：众所周知汽车里面空间是非常小的，所以功率密度的提高是以后的发展趋势，SiC器件的特性可以不仅使功率半导体的封装相比较硅的方案做得更小，而且使与功率器件配套的无源器件和散热器都做得更小。
- 知乎盐选 | 3. 1 SiC 半导体材料的基本性质
SiC 具有优良的机械、热学、电学、物理和化学性质，是制备下一代电力电子和光电子器件的新型半导体材料之一。SiC 独特的性质与其结构密切相关，为此首先需要了解 SiC 的结构。 SiC 有超过 200 多种多型结构，最普通的是立方 3C，六角 4H 和 6H，菱方 15R。
- 新手必看：SCI、JCR分区、中科院SCI分区都是什么？该如何查询期刊在哪个分区？ - 知乎
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- 碳化硅SiC器件目前主要有哪些品牌在做？ - 知乎
sic二极管，本土厂商商业化逐步完善。目前国内多家厂商已设计出 sic sbd产品，中高压sic sbd产品稳定性较好，在车载obc中，多采用sic sbd+si igbt实现稳定的电流密度。目前国内在sic sbd产品的专利设计方面没有障碍，派恩杰已经开始六代sic sbd的研发，与国外差距较小。
- 第三代半导体，碳化硅SiC与氮化镓GaN，它俩谁会在未来更有优势呢？ - 知乎
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- 为什么要用4H-SiC？ - 知乎
3C-SiC这种不稳定性使得它很难以一个合理的速率生长大的3C-SiC晶锭，所以3C SiC 目前还没有体单晶可以做衬底，所以3C SiC 可以用来制造高频薄膜器件，而不是功率MOS。 现在我们来比较一下4H和6H SiC。从下表参数看，4H SiC本征载流子浓度和电子迁移率都比6H SiC高很多。
- 1区sic的期刊有哪些？ - 知乎
sci期刊论文发表是衡量一个人、一个单位甚至是一个国家科研水平的标尺，发表论文期刊分区越靠前，价值水平越高，sci期刊的分区中，一区期刊是影响因子最高的期刊，不论是哪个分区标准，一区期刊都是sci期刊中的佼佼者，学术价值、专业影响力、权威性和前瞻性都是其他刊物无法相提并论的
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